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L6388E

L6388 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - DIP-8

MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP


欧时:
STMicroelectronics L6388E 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, 0.65A, 最大为 17 V电源, 8引脚 PDIP封装


贸泽:
门驱动器 Hi-Vltg and Lo Side Driver


艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


富昌:
PDIP 08 .3 CU .25 AU W.


Chip1Stop:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


儒卓力:
**HaBr MOSvIGBTDr 600V DIP-8 THT **


L6388E中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 70ns, 40ns

输出接口数 2

针脚数 8

耗散功率 750 mW

上升时间 100 ns

输出电流Max 0.65 A

下降时间 80 ns

下降时间Max 80 ns

上升时间Max 100 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 750 mW

电源电压Max 17 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

长度 10.92 mm

宽度 6.6 mm

高度 3.32 mm

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

L6388E引脚图与封装图
L6388E引脚图

L6388E引脚图

L6388E封装图

L6388E封装图

L6388E封装焊盘图

L6388E封装焊盘图

在线购买L6388E
型号 制造商 描述 购买
L6388E ST Microelectronics 意法半导体 L6388 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - DIP-8 搜索库存
替代型号L6388E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: L6388E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: Through

当前型号

L6388 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - DIP-8

当前型号

型号: L6388ED

品牌: 意法半导体

封装: SOIC 9.6V 8Pin

完全替代

STMICROELECTRONICS  L6388ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8

L6388E和L6388ED的区别

型号: L6388

品牌: 意法半导体

封装:

完全替代

高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

L6388E和L6388的区别

型号: L6388D013TR

品牌: 意法半导体

封装: Surface 17V 8Pin

完全替代

高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

L6388E和L6388D013TR的区别