AS4C4M32S-6BIN、AS4C4M32S-6BINTR对比区别

高亮显示差异参数

型号 AS4C4M32S-6BIN AS4C4M32S-6BINTR

描述 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 1.2MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TFBGA-90动态随机存取存储器 128M, 3.3V, 4M x 32 S动态随机存取存储器

数据手册 --

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount -

引脚数 90 -

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

时钟频率 166 MHz -

存取时间 5.4 ns 5.4 ns

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V -

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 -