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AS4C4M32S-6BINTR

AS4C4M32S-6BINTR

数据手册.pdf

动态随机存取存储器 128M, 3.3V, 4M x 32 S动态随机存取存储器

SDRAM 存储器 IC 128Mb(4M x 32) 并联 166 MHz 5.4 ns 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 128M, 3.3V, 4M x 32 S动态随机存取存储器


安富利:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin TF-BGA T/R


AS4C4M32S-6BINTR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 5.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

AS4C4M32S-6BINTR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
AS4C4M32S-6BINTR Alliance Memory 联盟记忆 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, 4M x 32 S动态随机存取存储器 搜索库存
替代型号AS4C4M32S-6BINTR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: AS4C4M32S-6BINTR

品牌: Alliance Memory 联盟记忆

封装: LFBGA

当前型号

动态随机存取存储器 128M, 3.3V, 4M x 32 S动态随机存取存储器

当前型号

型号: AS4C4M32S-6BIN

品牌: 联盟记忆

封装: 90-LFBGA

完全替代

Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 1.2MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TFBGA-90

AS4C4M32S-6BINTR和AS4C4M32S-6BIN的区别