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RQ6E045BNTCR、RSQ045N03TR、RSQ045N03FRATR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RQ6E045BNTCR RSQ045N03TR RSQ045N03FRATR

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2.5 VN 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM SemiconductorROHM  RSQ045N03FRATR  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.5 V 新

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSMT

针脚数 6 - 6

漏源极电阻 0.021 Ω 400 mΩ 0.027 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.25 W 1.25 W 600 mW

阈值电压 2.5 V - 2.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 4.5A 4.50 A -

上升时间 11 ns 19 ns -

输入电容(Ciss) 330pF @15V(Vds) 520pF @10V(Vds) -

下降时间 6 ns 14 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.25W (Ta) 600mW (Ta) -

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 4.50 A -

漏源击穿电压 - 30.0 V -

额定功率(Max) - 1.25 W -

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSMT

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.8 mm -

高度 - 0.95 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not For New Designs Not Recommended

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -