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RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 30 V 4.5A Tj 1.25W Ta Surface Mount TSMT6 SC-95


得捷:
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT


立创商城:
RQ6E045BNTCR


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 4.5 A, 0.021 ohm, TSMT, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R


RQ6E045BNTCR中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.5A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 330pF @15VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

RQ6E045BNTCR引脚图与封装图
RQ6E045BNTCR引脚图

RQ6E045BNTCR引脚图

RQ6E045BNTCR封装图

RQ6E045BNTCR封装图

RQ6E045BNTCR封装焊盘图

RQ6E045BNTCR封装焊盘图

在线购买RQ6E045BNTCR
型号 制造商 描述 购买
RQ6E045BNTCR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号RQ6E045BNTCR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RQ6E045BNTCR

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: TSMT N-Channel 30V 4.5A

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2.5 V

当前型号

型号: RSQ045N03TR

品牌: 罗姆半导体

封装: TSMT6 N-Channel 30V 4.5A 400mohms

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