针脚数 6
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.5A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 330pF @15VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
封装 TSOT-23-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
RQ6E045BNTCR引脚图
RQ6E045BNTCR封装图
RQ6E045BNTCR封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RQ6E045BNTCR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RQ6E045BNTCR 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: TSMT N-Channel 30V 4.5A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 | |
型号: RSQ045N03TR 品牌: 罗姆半导体 封装: TSMT6 N-Channel 30V 4.5A 400mohms | 类似代替 | N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | RQ6E045BNTCR和RSQ045N03TR的区别 |