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CYDM256B16-55BVXIT、CYDMX256A16-65BVXI、CYDM256B16-55BVXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYDM256B16-55BVXIT CYDMX256A16-65BVXI CYDM256B16-55BVXI

描述 SRAM Chip Async Dual 1.8V 256Kbit 16K x 16 55ns 100Pin VFBGA T/R16 K / 8 K / 4 KB ×16的MoBL ADM 16 K / 8 K / 4 KB ×16的MoBL ADM高速接入 16 K/8 K/4 K x 16 MoBL ADM 16 K/8 K/4 K x 16 MoBL ADM High speed accessCYDM256B16 系列 256 Kb (16 K x 16) 1.8 V 55 ns 双端口 静态RAM FBGA-100

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 100 100 100

封装 VFBGA-100 VFBGA-100 VFBGA-100

存取时间 55 ns 65 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 1.8V ~ 3.3V 1.7V ~ 1.9V

位数 16 - 16

存取时间(Max) 55 ns - 55 ns

电源电压(DC) - - 3.00 V

供电电流 - - 25 mA

高度 - 0.66 mm 0.66 mm

封装 VFBGA-100 VFBGA-100 VFBGA-100

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99