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BC847BPDW1T1G、BC847BPN,165、BC847BPN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847BPDW1T1G BC847BPN,165 BC847BPN

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC847BPDW1T1G.  晶体管 双极-射频, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 100 hFENPN/PNP 300 mW 45 V 100 mA 表面贴装 通用 晶体管 - TSSOP-6NXP  BC847BPN  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SC-88

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SOT-363-6 SC-88

频率 100 MHz 100 MHz -

额定电压(DC) 45.0 V - -

额定电流 1.00 A - -

额定功率 0.38 W - -

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电压 ≤5.00 V - -

针脚数 3 - 6

极性 NPN, PNP NPN+PNP N-Channel, P-Channel, NPN, PNP

耗散功率 380 mW 0.4 W 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 380 mW 300 mW -

直流电流增益(hFE) 100 - 200

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 380 mW - 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V -

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.9 mm - -

封装 SC-70-6 SOT-363-6 SC-88

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -