APT34N80B2C3、APT34N80B2C3G对比区别

高亮显示差异参数

型号 APT34N80B2C3 APT34N80B2C3G

描述 超级结MOSFET Super Junction MOSFETAPT34N80B23CG N-Channel 800V 34A 145mOhm 355NC 417W Mosfet - TO-247-3

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

封装 T-MAX TO-247-3

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

耗散功率(Max) 417W (Tc) 417W (Tc)

额定电压(DC) - 800 V

额定电流 - 34.0 A

耗散功率 - 417W (Tc)

输入电容 - 4.51 nF

栅电荷 - 355 nC

漏源极电压(Vds) - 800 V

连续漏极电流(Ids) - 34.0 A

上升时间 - 15 ns

输入电容(Ciss) - 4510pF @25V(Vds)

下降时间 - 6 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 T-MAX TO-247-3

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)