APT34N80B2C3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT34N80B2C3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 34.0 A
耗散功率 417W Tc
输入电容 4.51 nF
栅电荷 355 nC
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 34.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 4510pF @25VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 417W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT34N80B2C3G引脚图与封装图
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在线购买APT34N80B2C3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT34N80B2C3G | Microsemi 美高森美 | APT34N80B23CG N-Channel 800V 34A 145mOhm 355NC 417W Mosfet - TO-247-3 | 搜索库存 |
替代型号APT34N80B2C3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT34N80B2C3G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 800V 34A 4.51nF | 当前型号 | APT34N80B23CG N-Channel 800V 34A 145mOhm 355NC 417W Mosfet - TO-247-3 | 当前型号 |
| 型号： APT34N80B2C3 品牌： 美高森美 封装： | 类似代替 | 超级结MOSFET Super Junction MOSFET | APT34N80B2C3G和APT34N80B2C3的区别 |