IDH04S60CAKSA1、SDT04S60、IDH04G65C5XKSA1对比区别

高亮显示差异参数

型号 IDH04S60CAKSA1 SDT04S60 IDH04G65C5XKSA1

描述 IDH04S60C 系列 600 V 4 A 第2代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-220-2碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky DiodeINFINEON  IDH04G65C5XKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 二极管TVS二极管肖特基二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 4.00 A -

正向电压 1.9V @4A 1.9V @4A 1.7V @4A

反向恢复时间 0 ns 0 ns 0 ns

正向电流 4000 mA 4 A 4 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） - 12.5 A 38 A

正向电压(Max) - 1.9V @4A -

正向电流(Max) 4000 mA 4 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温(Max) - 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 42000 mW 36500 mW -

额定功率 - - 48 W

负载电流 - - 4 A

长度 - 9.9 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 9.2 mm -

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

工作温度 - 55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC Contains SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 2015/12/17