SDT04S60
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SDT04S60中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 4.00 A
正向电压 1.9V @4A
反向恢复时间 0 ns
正向电流 4 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 12.5 A
正向电压Max 1.9V @4A
正向电流Max 4 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 36500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-220-2
外形尺寸
长度 9.9 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.2 mm
封装 TO-220-2
物理参数
工作温度 55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 Contains SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
SDT04S60引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SDT04S60
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SDT04S60 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220-2 600V 4A | 当前型号 | 碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode | 当前型号 |
| 型号： IDH15S120 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-2 | 类似代替 | thinQ!™ 碳化硅 SiC 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon | SDT04S60和IDH15S120的区别 |
| 型号： IDH03G65C5 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-2 | 类似代替 | thinQ!™ 碳化硅 SiC 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon | SDT04S60和IDH03G65C5的区别 |
| 型号： IDH04S60CAKSA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL | 类似代替 | IDH04S60C 系列 600 V 4 A 第2代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-220-2 | SDT04S60和IDH04S60CAKSA1的区别 |