APT38F80B2、IXFX38N80Q2、IXFK38N80Q2对比区别

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型号 APT38F80B2 IXFX38N80Q2 IXFK38N80Q2

描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETTrans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin(3+Tab) PLUS 247Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin(3+Tab) TO-264AA

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 190 mΩ - 220 mΩ

极性 N-CH - -

耗散功率 1.04 kW 735W (Tc) 735 W

阈值电压 2.5 V - -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V - 800 V

连续漏极电流(Ids) 41A - -

上升时间 65 ns 16 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 8070pF @25V(Vds) 8340pF @25V(Vds) 8340pF @25V(Vds)

下降时间 60 ns 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1040W (Tc) 735W (Tc) 735W (Tc)

额定功率(Max) - 735 W -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99