APT38F80B2
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT38F80B2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 1.04 kW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 41A
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 8070pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1040W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT38F80B2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT38F80B2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT38F80B2 | Microsemi 美高森美 | N沟道FREDFET N-Channel FREDFET | 搜索库存 |
替代型号APT38F80B2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT38F80B2 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247-3 N-CH 800V 41A | 当前型号 | N沟道FREDFET N-Channel FREDFET | 当前型号 |
| 型号： IXFX38N80Q2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin3+Tab PLUS 247 | APT38F80B2和IXFX38N80Q2的区别 |