ZXM62P03E6TA、ZXM62P03E6TC、FDC6506P对比区别

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型号 ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6TC FDC6506P

描述 P沟道 30V 1.5A30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETPowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 TSOT-23-6

针脚数 - - 6

漏源极电阻 230 mΩ 230 mΩ 170 mΩ

耗散功率 0.806 W 625 mW 960 mW

阈值电压 - - 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 6.4 ns 6.4 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds) 190pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 625 mW - 700 mW

下降时间 10.3 ns 6.4 ns 2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625mW (Ta) 625mW (Ta) 960 mW

额定电压(DC) -30.0 V - -

额定电流 -1.60 A - -

极性 P-Channel P-Channel -

栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 1.50 A -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 30 V -

长度 3.1 mm 3.1 mm 3 mm

宽度 1.8 mm 1.8 mm 1.7 mm

高度 1.3 mm 1.3 mm 1 mm

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -