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ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

P沟道 30V 1.5A

P-Channel 30V 1.5A Ta 625mW Ta Surface Mount SOT-26


立创商城:
P沟道 30V 1.5A


得捷:
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6


贸泽:
MOSFET 30V P-Chnl HDMOS


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The ZXM62P03E6TA power MOSFET from Diodes Zetex provides the solution. Its maximum power dissipation is 806 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET P-Channel 20V 1.5A SOT23-6


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R


富昌:
ZXM62P03E6 30 V 0.15 Ohm P 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET -SOT-23-6


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6


ZXM62P03E6TA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -1.60 A

漏源极电阻 230 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 0.806 W

漏源极电压Vds 30 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 1.50 A

上升时间 6.4 ns

输入电容Ciss 330pF @25VVds

额定功率Max 625 mW

下降时间 10.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.8 mm

高度 1.3 mm

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZXM62P03E6TA引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ZXM62P03E6TA Diodes 美台 P沟道 30V 1.5A 搜索库存
替代型号ZXM62P03E6TA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZXM62P03E6TA

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-23-6 P-Channel 30V 1.5A 230mΩ

当前型号

P沟道 30V 1.5A

当前型号

型号: ZXM62P03E6TC

品牌: 美台

封装:

类似代替

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

ZXM62P03E6TA和ZXM62P03E6TC的区别

型号: ZXM62P03E6

品牌: 美台

封装:

功能相似

晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -30 V, 0.11 ohm, 10 V, -1 V

ZXM62P03E6TA和ZXM62P03E6的区别