PN2222、PN2222G、PN2222TAR对比区别

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型号 PN2222 PN2222G PN2222TAR

描述 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN SiliconTrans GP BJT NPN 30V 0.6A 3Pin TO-92 Ammo

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

引脚数 3 3 -

极性 - NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 600 mA 600 mA -

耗散功率 625 mW 625 mW -

增益频宽积 250 MHz 250 MHz -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

ECCN代码 - - EAR99