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REF5020AID、REF5020AIDR、REF5020AIDRG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 REF5020AID REF5020AIDR REF5020AIDRG4

描述 1.024V 至 2.048V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.1 % ±0.1 % ±0.1 %

输入电压(DC) 2.70V ~ 18.0V 2.70V ~ 18.0V 2.70V ~ 18.0V

输出电压 2.048 V 2.048 V 2.048 V

输出电流 10 mA 10 mA 10 mA

供电电流 1.2 mA 1.2 mA 1.2 mA

通道数 1 1 -

静态电流 800 µA 800 µA 800 µA

输入电压(Max) 18 V 18 V 18 V

输出电压(Max) 2.048 V 2.048 V 2.048 V

输出电压(Min) 2.048 V 2.048 V 2.048 V

输出电流(Max) 10 mA 10 ma 10 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

精度 0.05 % 0.05 % -

输入电压 2.7V ~ 18V 2.7V ~ 18V 2.7V ~ 18V

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.91 mm

高度 1.5 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 ±8 ppm/℃ ±8 ppm/℃ ±8 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -