IRFH7932TR2PBF、IRFH7932TRPBF对比区别

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型号 IRFH7932TR2PBF IRFH7932TRPBF

描述 PQFN N-CH 30V 24AP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PowerVDFN-8 QFN-8

额定功率 - 3.4 W

针脚数 - 8

漏源极电阻 0.0025 Ω 0.0025 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 3.1 W 3.4 W

阈值电压 1.8 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 24.0 A 24A

上升时间 - 48 ns

输入电容(Ciss) 4270pF @15V(Vds) 4270pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 3.4 W

下降时间 - 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 3.4W (Ta) 3.4W (Ta)

产品系列 IRFH7932 -

长度 - 6 mm

宽度 - 5 mm

高度 - 0.95 mm

封装 PowerVDFN-8 QFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -