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IRFH7932TRPBF

IRFH7932TRPBF

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

表面贴装型 N 通道 30 V 24A(Ta),104A(Tc) 3.4W(Ta) PQFN(5x6)单芯片焊盘


得捷:
MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN


欧时:
Infineon MOSFET IRFH7932TRPBF


立创商城:
N沟道 30V 24A


e络盟:
晶体管, MOSFET, HEXFET®, N沟道, 25 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R


安富利:
MOSFET, 30V, 25A, 3.3 MOHM, 34 NC QG, PQFN56


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PQFN T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 104A; 3.4W; PQFN8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56


IRFH7932TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 3.4 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.4 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 48 ns

输入电容Ciss 4270pF @15VVds

额定功率Max 3.4 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.4W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 QFN-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 0.95 mm

封装 QFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Point of Load ControlFET, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Isolated Primary Side MOSFETs

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFH7932TRPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFH7932TRPBF Infineon 英飞凌 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号IRFH7932TRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFH7932TRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 24A

当前型号

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号: IRFH7932TR2PBF

品牌: 英飞凌

封装: PQFN N-Channel 30V 24A

功能相似

PQFN N-CH 30V 24A

IRFH7932TRPBF和IRFH7932TR2PBF的区别