额定功率 3.4 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.4 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 24A
上升时间 48 ns
输入电容Ciss 4270pF @15VVds
额定功率Max 3.4 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.4W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 QFN-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 0.95 mm
封装 QFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Point of Load ControlFET, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Isolated Primary Side MOSFETs
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFH7932TRPBF | Infineon 英飞凌 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFH7932TRPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 24A | 当前型号 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 当前型号 | |
型号: IRFH7932TR2PBF 品牌: 英飞凌 封装: PQFN N-Channel 30V 24A | 功能相似 | PQFN N-CH 30V 24A | IRFH7932TRPBF和IRFH7932TR2PBF的区别 |