SI4431BDY-T1-E3、SI4431CDY-T1-GE3、SI4431BDY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4431BDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-GE3 SI4431BDY-T1-GE3

描述 VISHAY  SI4431BDY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.8 A, -30 V, 0.023 ohm, -10 V, -1 VVISHAY  SI4431CDY-T1-GE3.  晶体管, MOSFET, P沟道, -9A, -30VVISHAY  SI4431BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 1.5W

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.023 Ω 0.026 Ω 0.023 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 4.2 W 1.5 W

漏源极电压(Vds) -30.0 V 30 V -30.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.80 A, -7.50 A -9.00 A -5.70 A

上升时间 10 ns - 10 ns

下降时间 47 ns - 47 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.5 W 4.2 W -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.55 mm 1.55 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -