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TN0620N3-G、TN0620N3-G-P014、TN0620N3-G-P002对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TN0620N3-G TN0620N3-G-P014 TN0620N3-G-P002

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 200 V, 4 ohm, 10 V, 1.6 VTrans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3Pin TO-92 T/RTrans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

额定功率 1 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 4 Ω - -

耗散功率 1 W 1 W 1 W

阈值电压 1.6 V - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

上升时间 8 ns 8 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 150pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Tc) 1W (Tc) 1W (Tc)

长度 5.21 mm 5.21 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Ammo Pack Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅