TN0620N3-G-P014
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
TN0620N3-G-P014中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 150pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Ammo Pack
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TN0620N3-G-P014引脚图与封装图 
TN0620N3-G-P014引脚图
TN0620N3-G-P014封装图
TN0620N3-G-P014封装焊盘图
在线购买TN0620N3-G-P014
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TN0620N3-G-P014 | Microchip 微芯 | Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3Pin TO-92 T/R | 搜索库存 |
替代型号TN0620N3-G-P014
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TN0620N3-G-P014 品牌： Microchip 微芯 封装： TO-92-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3Pin TO-92 T/R | 当前型号 |
| 型号： TN0620N3-G 品牌： 微芯 封装： TO-92 | 完全替代 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 200 V, 4 ohm, 10 V, 1.6 V | TN0620N3-G-P014和TN0620N3-G的区别 |