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IRFP4310ZPBF、IRFP4710PBF、FDH3632对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP4310ZPBF IRFP4710PBF FDH3632

描述 INFINEON  IRFP4310ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0048 ohm, 20 V, 4 VINFINEON  IRFP4710PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 5.5 VN沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 80.0 A

漏源极电阻 0.0048 Ω 0.014 Ω 0.0075 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 280 W 190 W 310 W

阈值电压 4 V 5.5 V 4 V

输入电容 6860 pF 6160 pF 6.00 nF

栅电荷 - - 84.0 nC

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 134A 72A 80.0 A

上升时间 60 ns 130 ns 39.0 ns

输入电容(Ciss) 6860pF @50V(Vds) 6160pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 280 W 190 W 310 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 280000 mW 190W (Tc) 310W (Tc)

额定功率 280 W 190 W -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

下降时间 57 ns 38 ns -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.87 mm 15.9 mm -

宽度 5.31 mm 5.3 mm -

高度 20.7 mm 20.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99