LMV358ID、LMV358IDDUR、LMV358IDT对比区别

高亮显示差异参数

型号 LMV358ID LMV358IDDUR LMV358IDT

描述 LMV 系列### 运算放大器，Texas Instruments低电压轨到轨输出运算放大器 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSSTMICROELECTRONICS  LMV358IDT  运算放大器, 双路, 1.3 MHz, 2个放大器, 0.45 V/µs, 2.7V 至 6V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 VSSOP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 5.50 V - 7.00V (max)

输出电流 - - 48mA @5V

供电电流 210 µA 210 µA 162 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 - 8

共模抑制比 50 dB 50 dB 55 dB

带宽 1 MHz 1 MHz 1.3 MHz

转换速率 1.00 V/μs 1.00 V/μs 450 mV/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1.3 MHz

输入补偿电压 1.7 mV 1.7 mV 100 µV

输入偏置电流 15 nA 15 nA 16 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1 MHz 1 MHz 1.3 MHz

共模抑制比(Min) 50 dB 50 dB 65 dB

电源电压 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 6V

电源电压(Max) 5.5 V - 6 V

电源电压(Min) 2.7 V - 2.7 V

输入补偿漂移 5.00 µV/K 5.00 µV/K -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 4 mm

高度 1.58 mm - 1.25 mm

封装 SOIC-8 VSSOP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99