2N5551BU、BC449G、2N5551G对比区别

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型号 2N5551BU BC449G 2N5551G

描述 NPN 晶体管，高于 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。TO-92 PNP 100V 0.3AON SEMICONDUCTOR  2N5551G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

频率 300 MHz - 300 MHz

额定电压(DC) 160 V 100 V 160 V

额定电流 600 mA 300 mA 600 mA

极性 NPN PNP NPN

耗散功率 625 mW - 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 160 V 100 V 160 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.3A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 50 @2mA, 5V 80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW

针脚数 - - 3

热阻 - - 83.3℃/W (RθJC)

直流电流增益(hFE) - - 100

长度 5.2 mm - 5.2 mm

宽度 4.19 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm - 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 - EAR99