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DS1220Y-100、DS1220AD-100IND+、DS1220Y-100IND对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220Y-100 DS1220AD-100IND+ DS1220Y-100IND

描述 DIP24MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-100IND+  芯片, 存储器, NVRAMNVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24Pin EDIP

数据手册 ---

制造商 Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 24 -

封装 DIP DIP-24 DIP

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) -

针脚数 - 24 -

时钟频率 - 100 GHz -

存取时间 - 100 ns -

内存容量 - 2000 B -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

长度 - 38.1 mm -

宽度 - 18.29 mm -

高度 - 10.67 mm -

封装 DIP DIP-24 DIP

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Each -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -