MUN5214DW1T1G、UMH9NTN、PUMH10对比区别

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型号 MUN5214DW1T1G UMH9NTN PUMH10

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5214DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SOT-363UMH9N 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 NPN 数字晶体管 - SC-88NXP  PUMH10  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SOT-363

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363 SOT-363-6 SOT-363

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 70.0 mA -

额定功率 - 0.15 W -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.385 W 150 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 68 @5mA, 5V 100

额定功率(Max) 250 mW 150 mW -

直流电流增益(hFE) - 68 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

增益带宽 - 250 MHz -

耗散功率(Max) 256 mW 150 mW 300 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

长度 2.2 mm 2 mm 2.2 mm

宽度 1.35 mm 1.25 mm 1.35 mm

高度 1 mm 0.9 mm 1 mm

封装 SOT-363 SOT-363-6 SOT-363

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -