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FQD11P06TF、FQD11P06TM对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD11P06TF FQD11P06TM

描述 Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD11P06TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -9.4 A, -60 V, 0.15 ohm, -10 V, -4 V 新

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V

额定电流 -9.40 A -9.40 A

针脚数 - 3

漏源极电阻 185 mΩ 0.15 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 9.40 A 9.40 A

上升时间 - 40 ns

输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W

下降时间 - 45 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5 W

长度 - 6.6 mm

宽度 - 6.1 mm

高度 - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99