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FQPF4N50、IRFS820B、FQPF3N50C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQPF4N50 IRFS820B FQPF3N50C

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

漏源极电阻 2.7 Ω 2.60 Ω 2.50 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 35 W 33.0 W 25 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 30.0 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.30 A 2.50 A 3.00 A

上升时间 45 ns - 25 ns

输入电容(Ciss) 460pF @25V(Vds) - 365pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 25 W

下降时间 30 ns - 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 35W (Tc) - 25W (Tc)

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 2.30 A - -

通道数 1 - -

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 4.7 mm - 4.7 mm

高度 16.3 mm - 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99