FQPF3N50C
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF3N50C中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 2.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 365pF @25VVds
额定功率Max 25 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF3N50C引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQPF3N50C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF3N50C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 500V 3A 2.5ohms | 当前型号 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQPF4N50 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 500V 2.3A 2.7Ω | 类似代替 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | FQPF3N50C和FQPF4N50的区别 |
| 型号： IRFS820B 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 500V 2.5A 2.6ohms | 功能相似 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | FQPF3N50C和IRFS820B的区别 |