锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STF7NM80、STP7NM80、SPA04N80C3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STF7NM80 STP7NM80 SPA04N80C3

描述 N沟道800 V , 0.95 Ω , 6.5 A TO - 220 , TO- 220FP , IPAK , DPAK的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ω, 6.5 A TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK MDmesh™ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP7NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.25 A, 800 V, 950 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 - -

漏源极电阻 1.05 Ω 0.95 Ω 1.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 25 W 90 W 38 W

阈值电压 4 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V - -

连续漏极电流(Ids) 3.25 A 3.25 A 4.00 A

上升时间 8 ns 8 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 25 W 90 W 38 W

下降时间 10 ns 10 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 25W (Tc) 90W (Tc) 38W (Tc)

额定电压(DC) - - 800 V

额定电流 - - 4.00 A

额定功率 - - 38 W

针脚数 - 3 3

输入电容 - 620 pF -

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.65 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.85 mm

高度 9.3 mm 15.75 mm 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99