APT10050LVRG、IXFN24N100、APT10050JN对比区别

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型号 APT10050LVRG IXFN24N100 APT10050JN

描述 TO-264 N-CH 1000V 21AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN24N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 1 kV, 390 mohm, 10 V, 5.5 VSOT-227 N-CH 1000V 20.5A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Screw -

引脚数 3 3 -

封装 TO-264 SOT-227-4 SOT-227

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -

额定电流 21.0 A 24.0 A -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 520 W 600 W -

输入电容 7.90 nF - -

栅电荷 500 nC - -

漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1 kV 1000 V

连续漏极电流(Ids) 21.0 A 24.0 A 20.5A

上升时间 13 ns 35 ns -

输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 8700pF @25V(Vds) -

下降时间 8 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 520000 mW 568000 mW -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.39 Ω -

阈值电压 - 5.5 V -

漏源击穿电压 - 1000 V -

隔离电压 - 2.50 kV -

额定功率(Max) - 568 W -

封装 TO-264 SOT-227-4 SOT-227

长度 - 38.23 mm -

宽度 - 25.42 mm -

高度 - 9.6 mm -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

材质 - Silicon -

重量 - 40.0 g -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -