APT10050LVRG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT10050LVRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 21.0 A
极性 N-CH
耗散功率 520 W
输入电容 7.90 nF
栅电荷 500 nC
漏源极电压Vds 1.00 kV
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264
外形尺寸
封装 TO-264
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT10050LVRG引脚图与封装图
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在线购买APT10050LVRG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT10050LVRG | Microsemi 美高森美 | TO-264 N-CH 1000V 21A | 搜索库存 |
替代型号APT10050LVRG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT10050LVRG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 N-CH 1kV 21A 7.9nF | 当前型号 | TO-264 N-CH 1000V 21A | 当前型号 |
| 型号： APT10050LVFR 品牌： 美高森美 封装： | 类似代替 | TO-264 N-CH 1000V 21A | APT10050LVRG和APT10050LVFR的区别 |
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| 型号： IXFN21N100Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227-4 N-CH 1000V 21A | 功能相似 | SOT-227B N-CH 1000V 21A | APT10050LVRG和IXFN21N100Q的区别 |