DTA143EET1G、DTA143EETL、DTA123EET1G对比区别

高亮显示差异参数

型号 DTA143EET1G DTA143EETL DTA123EET1G

描述 双电阻器数字 PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。ROHM  DTA143EETL  单晶体管 双极, PNP, -50 V, 250 MHz, 150 mW, -100 mA, 30 hFE偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-75-3 SC-75-3 SC-75-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.3 W 150 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 15 30 @10mA, 5V 8 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 15 - -

额定功率(Max) 200 mW 150 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 338 mW 150 mW 300 mW

额定功率 - 0.15 W -

直流电流增益(hFE) - 30 -

增益带宽 - 250 MHz -

长度 1.65 mm - -

宽度 0.9 mm - -

高度 0.9 mm - -

封装 SC-75-3 SC-75-3 SC-75-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99