MT47H256M8EB-25:C、MT47R256M8EB-25E:C对比区别

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型号 MT47H256M8EB-25:C MT47R256M8EB-25E:C

描述 DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 12.5M, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 -

封装 FBGA FBGA-60

工作电压 1.80 V 1.55 V

位数 8 -

存取时间(Max) 0.4 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -

电源电压 - 1.55V ~ 1.9V

封装 FBGA FBGA-60

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free