MT47R256M8EB-25E:C
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
MT47R256M8EB-25E:C中文资料参数规格
技术参数
工作电压 1.55 V
电源电压 1.55V ~ 1.9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 FBGA-60
外形尺寸
封装 FBGA-60
物理参数
工作温度 0℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MT47R256M8EB-25E:C引脚图与封装图
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在线购买MT47R256M8EB-25E:C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT47R256M8EB-25E:C | Micron 镁光 | DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 12.5M, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | 搜索库存 |
替代型号MT47R256M8EB-25E:C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT47R256M8EB-25E:C 品牌： Micron 镁光 封装： FBGA | 当前型号 | DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 12.5M, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | 当前型号 |
| 型号： MT47H256M8EB-25:C 品牌： 镁光 封装： FBGA | 功能相似 | DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | MT47R256M8EB-25E:C和MT47H256M8EB-25:C的区别 |
