IPD30N06S2L23ATMA1、IPD30N06S2L23ATMA3、STD60NF55LT4对比区别
型号 IPD30N06S2L23ATMA1 IPD30N06S2L23ATMA3 STD60NF55LT4
描述 INFINEON IPD30N06S2L23ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.0159 ohm, 10 V, 1.6 VInfineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。STMICROELECTRONICS STD60NF55LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0159 Ω 15.9 mΩ 0.012 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 100 W 100 W 110 W
阈值电压 1.6 V 1.6 V 2 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55 V 55.0 V
连续漏极电流(Ids) 30A 30A 30.0 A
上升时间 - 22 ns 180 ns
输入电容(Ciss) 1091pF @25V(Vds) 1091pF @25V(Vds) 1950pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 100 W 110 W
下降时间 - 9 ns 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 100W (Tc) 100 W 100W (Tc)
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 60.0 A
栅源击穿电压 - - ±15.0 V
长度 6.5 mm 6.5 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.2 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/06/16
ECCN代码 - - EAR99