OPA2333AMDREPG4、MCP6V02-E/SN、TSV622IDT对比区别

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型号 OPA2333AMDREPG4 MCP6V02-E/SN TSV622IDT

描述 1.8 V微功耗CMOS运算放大器零漂移系列 1.8-V MICROPOWER CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS ZERO-DRIFT SERIESMCP6V01/02/03 运算放大器### 运算放大器，MicrochipSTMICROELECTRONICS  TSV622IDT  运算放大器, 双路, 420 kHz, 2个放大器, 0.19 V/µs, 1.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 1.80V (min) 5.50V (max)

输出电流 - 22 mA 74 mA

供电电流 - 300 µA 29 µA

电路数 1 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 8

共模抑制比 102dB ~ 130dB 130 dB 60 dB

带宽 - 1.3 MHz 420 kHz

转换速率 - 500 mV/μs 190 mV/μs

增益频宽积 350 kHz 1.3 MHz 420 kHz

输入补偿电压 0.01 mV 2 µV 4 mV

输入偏置电流 0.2 nA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.35 MHz 1.3 MHz 0.42 MHz

共模抑制比(Min) 102 dB 130 dB 60 dB

电源电压 - 1.8V ~ 5.5V 1.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 1.8 V 1.8 V 1.5 V

工作电压 - 1.8V ~ 5.5V -

静态电流 - 400 µA -

输入补偿漂移 - 50.0 nV/K -

输入电压 - 1.5V ~ 2.1V -

宽度 3.91 mm 3.9 mm 4 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 4.9 mm -

高度 1.58 mm 1.25 mm -

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99