FQB12P20TM、IRF6215SPBF、IRF9640STRLPBF对比区别

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型号 FQB12P20TM IRF6215SPBF IRF9640STRLPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB12P20TM  场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 11.5mATrans MOSFET P-CH 150V 13A 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeP沟道,-200V,-11A,500mΩ@-10V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) -200 V -150 V -

额定电流 -11.5 A -13.0 A -

漏源极电阻 470 mΩ 290 mΩ 0.5 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 3.13 W 3.8 W 3 W

产品系列 - IRF6215S -

漏源极电压(Vds) 200 V 150 V 200 V

漏源击穿电压 200 V -150 V -

连续漏极电流(Ids) 11.5 mA -13.0 A -11.0 A

上升时间 195 ns 36.0 ns 43 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.13 W 3.8 W 3 W

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

针脚数 3 - 3

阈值电压 5 V - 4 V

下降时间 60 ns - 38 ns

耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 120W (Tc) - 125 W

通道数 1 - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 9.65 mm - 9.65 mm

高度 4.83 mm - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail, Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 800

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -