FQB12P20TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB12P20TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -200 V
额定电流 -11.5 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 470 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 3.13 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 11.5 mA
上升时间 195 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 120W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB12P20TM引脚图与封装图
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在线购买FQB12P20TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB12P20TM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB12P20TM 场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 11.5mA | 搜索库存 |
替代型号FQB12P20TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB12P20TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 P-Channel 200V 11.5mA 470mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB12P20TM 场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 11.5mA | 当前型号 |
| 型号： IRF9640SPBF 品牌： 威世 封装： TO-263-3 P-Channel 200V 11A 500mΩ | 功能相似 | P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | FQB12P20TM和IRF9640SPBF的区别 |
| 型号： IRF9640STRLPBF 品牌： 威世 封装： TO-263-3 P-Channel 200V 11A 500mΩ | 功能相似 | P沟道,-200V,-11A,500mΩ@-10V | FQB12P20TM和IRF9640STRLPBF的区别 |
| 型号： NTE2373 品牌： NTE Electronics 封装： TO-220 P-Channel 200V 11A | 功能相似 | 场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, -11A TO-220 | FQB12P20TM和NTE2373的区别 |