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MMBFJ203、PMBF4393,215、PMBF4391,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBFJ203 PMBF4393,215 PMBF4391,215

描述 MMBFJ203 N沟道结型场效应管 40v 4~20mA SOT-23 marking/标记 62R 低级别的 radioN 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

耗散功率 350 mW 250 mW 250 mW

击穿电压 40 V 40 V 40 V

额定功率(Max) 350 mW 250 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 250 mW 250 mW

击穿电压 - 40.0 V 40.0 V

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 100 Ω 30 Ω

漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V

输入电容(Ciss) - 14pF @20V(Vds) 14pF @20V(Vds)

高度 0.97 mm 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3 mm 3 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -