MMBFJ203
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MMBFJ203中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 350 mW
击穿电压 40 V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 0.97 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBFJ203引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBFJ203
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBFJ203 | Fairchild 飞兆/仙童 | MMBFJ203 N沟道结型场效应管 40v 4~20mA SOT-23 marking/标记 62R 低级别的 radio | 搜索库存 |
替代型号MMBFJ203
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBFJ203 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-236-3 350mW | 当前型号 | MMBFJ203 N沟道结型场效应管 40v 4~20mA SOT-23 marking/标记 62R 低级别的 radio | 当前型号 |
| 型号： PMBF4393,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 250mW | 功能相似 | N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | MMBFJ203和PMBF4393,215的区别 |
| 型号： PMBF4391,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 250mW | 功能相似 | N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | MMBFJ203和PMBF4391,215的区别 |
| 型号： PMBF4392,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 | 功能相似 | PMBF4392 系列 对称 硅 N 沟道 场效应晶体管 - SOT-23 | MMBFJ203和PMBF4392,215的区别 |