STB40NS15、STB40NS15T4对比区别

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型号 STB40NS15 STB40NS15T4

描述 N沟道150V - 0.042ohm - 40A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFETN沟道150V - 0.045Î © - 40A - D2PAK MESH OVERLAYâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 150V - 0.045Ω - 40A - D2PAK MESH OVERLAY™ Power MOSFET

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 D2PAK TO-263-3

额定电压(DC) - 150 V

额定电流 - 40.0 A

漏源极电阻 - 45.0 mΩ

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

漏源击穿电压 - 150 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 40A 20.0 A

上升时间 - 45 ns

输入电容(Ciss) - 2420pF @25V(Vds)

下降时间 - 35 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc)

封装 D2PAK TO-263-3

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC