STB40NS15T4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 40.0 A
漏源极电阻 45.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 2420pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
STB40NS15T4引脚图与封装图
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在线购买STB40NS15T4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB40NS15T4 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道150V - 0.045Î © - 40A - D2PAK MESH OVERLAYâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 150V - 0.045Ω - 40A - D2PAK MESH OVERLAY⢠Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STB40NS15T4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB40NS15T4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： D2PAK N-Channel 150V 20A 45mohms | 当前型号 | N沟道150V - 0.045Î © - 40A - D2PAK MESH OVERLAYâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 150V - 0.045Ω - 40A - D2PAK MESH OVERLAY⢠Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STB40NS15 品牌： 意法半导体 封装： | 功能相似 | N沟道150V - 0.042ohm - 40A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET | STB40NS15T4和STB40NS15的区别 |