CY7C1250KV18-400BZC、CY7C1250KV18-400BZXC、CY7C1250KV18-400BZI对比区别

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型号 CY7C1250KV18-400BZC CY7C1250KV18-400BZXC CY7C1250KV18-400BZI

描述 36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)CY7C1250KV18 系列 36 Mb (1 M x 36) 1.8 V 400 MHz QDR II SRAM - FBGA36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

引脚数 165 165 -

时钟频率 400 MHz 400 MHz 400 MHz

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

位数 36 36 -

存取时间 - 0.45 ns -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -