STP10NM65N、STU10NM65N、STD10NM65N对比区别

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型号 STP10NM65N STU10NM65N STD10NM65N

描述 STMICROELECTRONICS  STP10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 430 mohm, 10 V, 3 VN沟道650 V， 0.43 Ω ， 9的的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK N-channel 650 V, 0.43 Ω, 9 A MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKSTMICROELECTRONICS  STD10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.43 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-252-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 430 mΩ - 0.43 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 90 W 90W (Tc) 90 W

阈值电压 3 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 4.50 A - 9A

上升时间 8 ns - 8 ns

输入电容(Ciss) 850pF @50V(Vds) 850pF @50V(Vds) 850pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 90 W - 90 W

下降时间 20 ns - 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 90W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc)

通道数 - - 1

长度 10.4 mm - 6.6 mm

宽度 4.6 mm - 6.2 mm

高度 15.75 mm - 2.4 mm

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - -