锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
STP10NM65N

STP10NM65N

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STP10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 430 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP10NM65N, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Channel 650V Power MDmesh


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STP10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 430 mohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220


STP10NM65N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 430 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 850pF @50VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STP10NM65N引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STP10NM65N
型号 制造商 描述 购买
STP10NM65N ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STP10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 430 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STP10NM65N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STP10NM65N

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 4.5A

当前型号

STMICROELECTRONICS  STP10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 430 mohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： STD10NM65N

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 650V 9A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.43 ohm, 10 V, 3 V

STP10NM65N和STD10NM65N的区别

型号： STU10NM65N

品牌： 意法半导体

封装： TO-251AA

功能相似

N沟道650 V， 0.43 Ω ， 9的的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK N-channel 650 V, 0.43 Ω, 9 A MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK

STP10NM65N和STU10NM65N的区别