DS1245Y-120IND、DS1245Y-70IND+、DS1245Y-120IND+对比区别

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型号 DS1245Y-120IND DS1245Y-70IND+ DS1245Y-120IND+

描述 IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32EDIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-120IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 120 GHz 70.0 GHz 120 GHz

存取时间 120 ns 70 ns 120 ns

内存容量 125000 B 125000 B 125000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

针脚数 - 32 32

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V

长度 43.69 mm 44.2 mm -

宽度 18.8 mm 18.8 mm 18.8 mm

高度 9.4 mm 9.9 mm -

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -