BCW68GLT1G、BCW68GLT3G、BC80725MTF对比区别

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型号 BCW68GLT1G BCW68GLT3G BC80725MTF

描述 ON SEMICONDUCTOR  BCW68GLT1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -800 mA, 60 hFENPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC80725MTF  晶体管, PNP, -45V, SOT-23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 225 mW 300 mW 310 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @10mA, 1V 120 @10mA, 1V 160 @100mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 310 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 225 mW 310 mW

针脚数 3 - 3

最大电流放大倍数(hFE) - - 630

直流电流增益(hFE) 60 - 100

额定电压(DC) -45.0 V - -

额定电流 -800 mA - -

增益频宽积 100 MHz - -

长度 3.04 mm 3.04 mm 2.9 mm

宽度 2.64 mm 2.64 mm 1.3 mm

高度 1.01 mm 1.11 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99