FQA5N90、FQA6N90C对比区别

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型号 FQA5N90 FQA6N90C

描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-3-3

漏源极电阻 2.3 Ω 2.30 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 185 W 198 W

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V

漏源击穿电压 900 V 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.80 A 6.00 A

上升时间 65 ns 90 ns

输入电容(Ciss) 1550pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 185 W 198 W

下降时间 50 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) 900 V -

额定电流 5.80 A -

通道数 1 -

耗散功率(Max) 185W (Tc) -

封装 TO-3-3 TO-3-3

长度 16.2 mm -

宽度 5 mm -

高度 20.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free